Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR112E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR112E6327
BCR112E6327HTSA1 Hakkında
BCR112E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, 200mW güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 50V kolektör-emitter gerilimi ile çalışabilir. 140MHz geçiş frekansı ve 4.7kΩ ön beslemeli dirençler (R1 ve R2) ile entegre olarak gelir. DC akım kazancı (hFE) 5mA, 5V şartlarında en az 20'dir. Saturasyon gerilimi maksimum 300mV'tur. Sinyal anahtarlama, darbe uygulamaları ve düşük güç lojik devreleri gibi genel amaçlı uygulamalarda kullanılır. Yüzey montajı için tasarlanmış bu bileşen, kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 140 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok