Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
BCR10PNE6327BTSA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BCR10PNE6327BTSA1
BCR10PNE6327BTSA1 Hakkında
BCR10PNE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Tek bir SOT-363 paketinde 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistörü barındırır. Entegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde harici biyazlama dirençlerine ihtiyaç duymaz. 100mA maksimum kolektör akımı, 130MHz transition frekansı ve 250mW güç derecelendirmesiyle çalışır. Vce doyum gerilimi 300mV'dir. Kompakt tasarımı ve önceden ayarlanmış özellikleri, hızlı tasarım implementasyonu gerektiren anahtarlama uygulamaları, dijital lojik seviyeleri, sürücü devreler ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Düşük güç tüketim gereklilikleri olan taşınabilir cihazlar ve gömülü sistemlerde kullanışlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok