Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR108WH6327XTSA1
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- BCR108
BCR108WH6327XTSA1 Hakkında
BCR108WH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. SC-70/SOT-323 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 250 mW güç dağılımı ve 100 mA kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 170 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. İç dirençler (base 2.2 kΩ, emitter-base 47 kΩ) ile ön yüklemesi yapılmıştır. 50 V breakdwon voltajı ve 300 mV saturation voltajı ile genel amaçlı dijital ve analog anahtarlama devrelerinde, sinyal yönetiminde ve küçük güç amplifikasyonunda uygulanır. Maksimum 100 nA ICBO ile düşük sızıntı akımı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok