Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
BCR108SE6433HTMA1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BCR108SE
BCR108SE6433HTMA1 Hakkında
BCR108SE6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. Surface mount teknolojisi ile 6-VSSOP (SOT-363) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA collector akımı ve 250mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Entegre base ve emitter direnç ağlarına (sırasıyla 2.2kΩ ve 47kΩ) sahip olup, 170MHz transition frequency ile çalışır. Vce doyum voltajı maksimum 300mV (500µA base, 10mA collector akımında) ve 50V collector-emitter bozulma voltajı ile belirtilmiştir. Sayısal lojik devreleri sürme, sinyal anahtarlama, düşük güç uygulamaları ve pre-biased yapısı sayesinde hızlı anahtar işlemleri gerektiren uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok