Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR108E6433HTMA1
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR108
BCR108E6433HTMA1 Hakkında
BCR108E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 (SC-59) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200 mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Dahili olarak 2.2 kΩ taban direnci ve 47 kΩ emitter-base direncine sahiptir. 100 mA maksimum kolektör akımı, 170 MHz geçiş frekansı ve 50 V maksimum VCE(BR)DSS ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik kontrol devrelerinde uygulanır. DC akım kazancı (hFE) 70 minimum değerdedir. Yüksek entegrasyon gerektiren tasarımlarda, özellikle düşük akım uygulamalarında ve hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok