Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR108E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR108E6327
BCR108E6327HTSA1 Hakkında
BCR108E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 paket içinde sunulan bu komponent, 200 mW güç sınırlaması ile entegre bazlı direnç ağına sahiptir. 2.2 kΩ bazlı direnç ve 47 kΩ emitter-bazlı direnç yapısı, harici devre tasarımı gereksinimini azaltır. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 170 MHz geçiş frekansı ile düşük sinyalli ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50 V kolektör-emitter yıkılma gerilimi ve 70 minimum DC akım kazancı ile analog sinyal işleme, sinyalendirme ve lojik seviye dönüşüm devrelerinde uygulanabilir. Yüzey montajı teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaydır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok