Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
BCR08PNE6433HTMA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BCR08PNE6433
BCR08PNE6433HTMA1 Hakkında
BCR08PNE6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, 6-pinli SOT-363 (SC-88) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 170MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Kolektör-emitter doyum voltajı 300mV olup, 50V maksimum breakdown voltajına sahiptir. Entegre 2.2kΩ base resistor ve 47kΩ emitter base resistor ile ön yükleme özelliği sağlanmaktadır. Genel amaçlı transistör uygulamaları, lojik seviyelendirme, sinyel anahtarlaması ve düşük güçlü amplifikasyon devreleri için tasarlanmıştır. 250mW maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok