Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
BCR08PNE6327BTSA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BCR08PNE6327
BCR08PNE6327BTSA1 Hakkında
BCR08PNE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual ön beslemeli bipolar transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistöründen oluşan bu komponent, 6-pin SOT-363 (SC-88) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 100mA maksimum kolektör akımı, 170MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.2kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri ile ön önyargılanmış tasarım, sinyal kütlüğü ve lojik devre uygulamalarında darbe amplifikasyonu, anahtarlama ve seviye dönüştürme işlevlerinde tercih edilir. 250mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü entegre devrelerde gürültü bastırma ve seviye uyum uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok