Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 191L3 E6327
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- BCR 191L3
BCR 191L3 E6327 Hakkında
BCR 191L3 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 250 mW güç kapasitesi ve 100 mA maksimum collector akımı ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200 MHz transition frequency ile hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygun olup, entegre 22 kOhms base ve emitter-base dirençlerine sahiptir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV doyum voltajı ile genel amaçlı ses, sinyal işleme ve lojik devre uygulamalarında tercih edilir. SC-101 (SOT-883) surface mount paketi ile modern PCB montajına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3-4 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok