Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 183T E6327
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- BCR 183T
BCR 183T E6327 Hakkında
BCR 183T E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzeye montajlı paketinde sunulan bu komponent, 250 mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 100 mA maksimum kolektör akımı, 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 200 MHz geçiş frekansı ile RF ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 10kΩ base ve emitter-base dirençleriyle doğrudan devre entegrasyonuna uygun tasarlanmıştır. Düşük ICBO (100nA) ile dikkat çeken bu transistör, hassas ölçüm ve kontrol devrelerinde etkili bir çözüm sunar. Şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SC-75 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok