Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

BCR 183 B6327

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCR 183

BCR 183 B6327 Hakkında

BCR 183 B6327, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç kapasitesi ile çalışmaktadır. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V kolektör-emiter yıkılma gerilimi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. İçerisinde 10 kΩ'luk iki dirençli yapısı sayesinde ön beslemeli transistör işlevi görür. 200 MHz geçiş frekansı ve 300 mV doyum gerilimi karakteristikleri ile anahtarlama ve küçük sinyal yükseltme uygulamalarında kullanılır. Entegre ön beslemeli direnç yapısı nedeniyle harici komponent gereksinimi azalır ve tasarım basitleşir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok