Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 166L3 E6327
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- BCR 166L3
BCR 166L3 E6327 Hakkında
BCR 166L3 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 250mW güç kapasitesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 160MHz transition frekansı ve 50V kopya-emitter breakdown voltajı ile lojik seviye anahtarlama, darbe devresi kontrolü ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalara uygundur. Dahili 4.7kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile ön-biaslanmış yapısı, harici biyaslandırma dirençlerine gerek kalmadan hızlı anahtar işlemini sağlar. SC-101 (SOT-883) yüzeye monte paket ile kompakt tasarımlar için idealdir. Günümüzde üretimi sonlandırılmış olup arşiv ürün olarak listelenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 160 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3-4 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok