Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

BCR 162 B6327

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BCR 162

BCR 162 B6327 Hakkında

BCR 162 B6327, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimine ve 100mA kolektör akımına dayanıklıdır. Entegre baz dirençleri (4.7kΩ) sayesinde harici baz devreleri gereksinimini ortadan kaldırarak devre tasarımını basitleştirir. 200MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 50V kolektör-emitör gerilimi ile çeşitli güç seviyeleri için tasarlanmış devrelerde tercih edilir. Sinyal anahtarlaması, amplifikasyon ve mantık seviyeleri uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Market
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok