Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 158T E6327
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- BCR 158T
BCR 158T E6327 Hakkında
BCR 158T E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, entegre baz direnç ağına sahiptir. 250mW maksimum güç dağılımı, 100mA maksimum kolektör akımı ve 200MHz geçiş frekansı ile orta hızlı uygulamalar için tasarlanmıştır. 50V maksimum kolektör-emitter breakdown voltajı ve 70 minimum DC akım kazancı (hFE) ile inverter, anahtarlama ve sinyal işleme devreleri gibi dijital ve analog uygulamalarda kullanılır. İç ön beslemeli direnç tasarımı (2.2kΩ baz, 47kΩ emitter-baz) hızlı aktivasyon sağlar ve harici yardımcı bileşen gereksinimliliğini azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SC-75 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok