Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 135 B6327
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR135
BCR 135 B6327 Hakkında
BCR135 B6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimine ve 100mA kolektör akımına sahiptir. Transistör, 10kΩ ve 47kΩ olmak üzere entegre ön beslemeli dirençler içerir. 150MHz transition frekansı, 50V maksimum VCEO (Collector-Emitter Breakdown) voltajı ve 70 minimum DC akım kazancı (hFE) ile karakterize edilir. Ön beslemeli tasarımı sayesinde ek ön beslemeli devreler gerektirmez. Anahtarlama uygulamaları, lojik seviyeleri amplifikasyon gerektiren devreler ve impuls devrelerde yaygın olarak kullanılır. Lütfen dikkat: Bu bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok