Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 133L3 E6327
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- BCR 133L3
BCR 133L3 E6327 Hakkında
BCR 133L3 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli bipolar junction transistördür. 250 mW güç kapasitesi ve maksimum 100 mA kollektör akımı ile orta düzey sinyal uygulamalarında kullanılır. Dahili 10 kOhm taban ve emitter-taban dirençleri ile entegre ön beslemeli yapı sağlayan bu transistör, 130 MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. SC-101 (SOT-883) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, düşük güçlü lojik devreler, amplifikatörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 50V maksimum Vce breakdown voltajı ve 300mV doyma voltajı ile sınırlı güç bütçeli tasarımlar için uygun bir seçenektir. Ürün Digi-Key'de üretim sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3-4 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok