Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 133 B6327
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR 133
BCR 133 B6327 Hakkında
BCR 133 B6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (SC-59) SMD paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200 mW güç tüketimi ve 100 mA kolektör akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 50V BVCEO (kolektör-emitter kırılma gerilimi) ve 130 MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Entegre 10kΩ tabanlı ve 10kΩ emitter-tabanlı direnç ağı ile ön beslemeli yapısı, kullanım kolaylığı sağlar. 30 (minimum) DC akım kazancı ve 300mV maksimum doyum gerilimi (5mA/10mA'da) ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Tüketici elektroniği, amplifikatör devreleri ve RF uygulamalarında yer alır. Ürün Digi-Key tarafından üretilmesi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok