Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 112T E6327
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- BCR 112T
BCR 112T E6327 Hakkında
BCR 112T E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN silikon transistörüdür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 250 mW güç tüketimi ve 140 MHz transition frekansı ile düşük sinyalli uygulamalarda kullanılır. Cihazda entegre 4.7 kΩ baz ve emitter-baz dirençleri bulunur. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 50 V kolektör-emitter gerilimine dayanabilme kapasitesi ile dar sinyal amplifikasyon devrelerinde, lojik seviyeleri değiştirme uygulamalarında ve sensör arayüz devrelerinde tercih edilir. Düşük kapalı akım (ICBO: 100 nA) özellikleri ile enerji tasarrufu gerektiren taşınabilir cihazlarda yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 140 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SC-75 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok