Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 108 B6327
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BCR108
BCR 108 B6327 Hakkında
BCR108B6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket içinde gelen bu bileşen, maksimum 200mW güç dağıtımına ve 100mA kollektör akımına kapadir. Dahili 2.2kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci sayesinde harici biasing elemanlarına ihtiyaç duymaz. 170MHz transition frekansı ile orta hızlı uygulamalara uygun olan BCR108B6327, 50V maksimum Vce dağılım gerilimi ile güvenilir çalışma sağlar. Genel amaçlı anahtarlama, darbe amplifikasyonu ve düşük seviye sinyal işleme uygulamalarında kullanılabilir. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) olup, sınırlı stokta mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 170 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok