Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
BCR 101T E6327
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- BCR 101T
BCR 101T E6327 Hakkında
BCR 101T E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar junction transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre tabanlı (on-chip) direnç ağıyla birlikte gelir. Maksimum 250mW güç tüketimi ve 50V kolektor-emiter aralama gerilimi ile çalışabilir. 100 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 70 minimum DC akım kazancı (hFE), 50mA maksimum kolektor akımı ve 300mV saturasyon gerilimi özellikleriyle, düşük sinyal pre-amplification, fotodiode drive ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. On-chip 100kΩ baz ve emiter bazı dirençleri, harici bileşen sayısını azaltarak kompakt tasarıma olanak tanır. Düşük kollektor cutoff akımı (100nA) ile kapalı durum özelliği iyidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | PG-SC-75 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok