Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5616H6327XTSA1
TRANS NPN 80V 1A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5616
BCP5616H6327XTSA1 Hakkında
BCP5616H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount TO-261-4 (SOT223) paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum collector-emitter gerilimi ile 1A'e kadar collector akımı kaldırabilen bu komponent, 100MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 2W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile 150°C'ye kadar çalışabilir. Düşük saturation voltajı (500mV @ 500mA) nedeniyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Özellikle düşük sinyal seviyesi gerekli olan devrelerde, RF amplifikasyonunda ve hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılan bir transistördür. Ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok