Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5616E6327HTSA1
TRANS NPN 80V 1A SOT-223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5616
BCP5616E6327HTSA1 Hakkında
BCP5616E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Surface mount SOT-223 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 80V kolektör-emitör gerilimi ve 1A kolektör akımı ile çalışabilir. 2W güç seviyesinde dizayn edilmiş olup, 100MHz transition frequency'ye sahiptir. Dc current gain (hFE) minimum 100 değerinde (150mA, 2V koşullarında) belirtilmiş, maksimum kolektör cutoff akımı 100nA'dır. 150°C maksimum junction sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, düşük sinyal amplifikasyonu, anahtar uygulamaları ve genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Saturation voltajı maksimum 500mV (50mA base akımı, 500mA kolektör akımı) olarak tanımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok