Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5610TA
TRANS NPN 80V 1A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5610
BCP5610TA Hakkında
BCP5610TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) ile güvenilir performans sağlar. 500mV doyum voltajı düşük kayıp anahtarlama uygulamalarına uygundur. Genel amaçlı sinyal amplifikasyonu, DC ve RF anahtarlama, ses frekansı amplifikasyonu ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok