Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5610QTC
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5610
BCP5610QTC Hakkında
BCP5610QTC, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1A kolektör akımı ve 80V VCEO gerilim dayanımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 2W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. -65°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. 500mV doyum gerilimi ve minimum 63 DC akım kazancı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok