Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5610QTA
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5610
BCP5610QTA Hakkında
BCP5610QTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2W güç kapasitesi ve 150MHz transition frekansı ile orta performans uygulamaları için tasarlanmıştır. 1A maksimum collector akımı, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 63 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle sahiptir. Vce doyum voltajı 500mV'dir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerinde, ses frekansı ve RF uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük kesme akımı (100nA) ile static elektrik hassasiyeti az olan tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok