Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5610E6327HTSA1
TRANS NPN 80V 1A SOT-223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5610
BCP5610E6327HTSA1 Hakkında
BCP5610E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount teknolojisinde TO-261-4 (SOT-223) paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum Vce(BR)CEO dağılma gerilimi ile 1A maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 100MHz geçiş frekansı ve 2W maksimum güç tüketimi ile işaret amplifikasyonu, anahtarlama ve genel amaçlı DC amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Düşük sinyal ve orta seviye anahtarlama devreleri, opto-çıkış uygulamaları ve gerilim düzenleme devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok