Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCP56-10

BJT SOT-223 80V 1000MA

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BCP56

BCP56-10 Hakkında

BCP56-10, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile tasarlanmıştır. 2W güç tüketimine kadir olan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 100MHz transition frekansı sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve orta hızlı sinyalleme devrelerinde kullanılabilir. 500mV satürasyon gerilimi ile düşük enerji kaybı sağlar. Vce(sat) = 500mV @ Ib=50mA, Ic=500mA ve DC gain (hFE) = 63 @ 150mA, 2V olan bu bileşen, genel amaçlı anahtarlama, darbe sürücüleri ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok