Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP55H6327XTSA1
TRANS NPN 60V 1A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP55H6327
BCP55H6327XTSA1 Hakkında
BCP55H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlü (BJT) bir tekil transistördür. 60V maksimum VCE, 1A maksimum kolektör akımı ve 2W güç kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile yüksek hızlı switching işlemleri gerçekleştirebilir. 40 minimum DC gain (hFE) değeri ve 500mV saturation voltajı ile analog sinyal işleme, amplifikasyon ve switching devrelerinde uygulanabilir. SOT223 yüzey montajı paketi, kompakt tasarımlar için avantajlı olup endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi ve RF uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile güvenilir ısıl performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok