Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP55E6327HTSA1
TRANS NPN 60V 1A SOT-223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP55
BCP55E6327HTSA1 Hakkında
BCP55E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir NPN tip bipolar junction transistör (BJT) bileşenidir. SOT-223 (TO-261-4) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 60V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile çalışır. 2W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 150mA akım ve 2V gerilimde minimum 40 değerine ulaşır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına elverişlidir. Vce doyum gerilimi 50mA taban akımında ve 500mA kolektör akımında 500mV'dur. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen şu an üretilmemektedir (Obsolete). Bu transistör, düşük güçlü anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok