Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCP5516TA

TRANS NPN 60V 1A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BCP5516

BCP5516TA Hakkında

BCP5516TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-261-4 (SOT-223) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 150MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) ile orta hızlı sinyal işleme görevlerini yerine getirebilir. -65°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalarda kullanılmasını uygun kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package SOT-223-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok