Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5516H6327XTSA1
TRANS NPN 60V 1A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5516
BCP5516H6327XTSA1 Hakkında
BCP5516H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 60V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile çalışabilen bu komponent, 2W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. SOT223 (TO-261-4) yüzey montajlı paket içinde sunulan komponent, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri tasarımlarında kullanılabilir. 500mV saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile stabil performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok