Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP55-6
BJT SOT-223 60V 1000MA
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP55
BCP55-6 Hakkında
BCP55-6, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmış olan bu bileşen, 1.3W güç dissipasyonuna kapaklıdır. DC akım kazancı (hFE) 150mA ve 2V işletme koşullarında minimum 40 değerini sunar. 100MHz transition frekansı ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilmektedir. Maksimum 500mV doyum gerilimi (50mA base akımı, 500mA collector akımında) sayesinde düşük açılış kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve kontrol devrelerinde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3 W |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok