Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCP5310H6327XTSA1

TRANS PNP 80V 1A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BCP5310

BCP5310H6327XTSA1 Hakkında

BCP5310H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistördür. SOT223 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, maksimum 80V kolektor-emitter geriliminde 1A'ye kadar akım kapasitesine sahiptir. 2W güç dissipasyonu kapasitesi ile çeşitli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. 125MHz transition frekansı ile orta hızlı komutasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 63 minimum DC akım kazancı (hFE), 500mV doyum gerilimi ve 100nA maksimum kesme akımı özelikleriyle, düşük sinyal seviyesindeki anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve genel amaçlı amplifikasyon tasarımlarında uygulanabilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Bileşen üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Not For New Designs
Power - Max 2 W
Supplier Device Package PG-SOT223-4-10
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok