Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5310E6327HTSA1
TRANS PNP 80V 1A SOT-223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5310
BCP5310E6327HTSA1 Hakkında
BCP5310E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistöre (BJT) ait tekil komponenttir. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maximum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 2W maksimum güç dağıtma kapasitesi ve 125MHz transition frequency ile sinyal amplifikasyon ve switching işlemlerinde kullanılır. SOT-223 (TO-261-4) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, ses kontrol devreleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir. 150°C işletme sıcaklığına dayanıklı yapısı ile endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-10 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok