Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCP51E6327HTSA1

TRANS PNP 45V 1A SOT-223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BCP51

BCP51E6327HTSA1 Hakkında

BCP51E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 45V kolektör-emitör gerilimi ve 1A kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 125MHz transition frequency ve 2W güç derecelendirilmesi ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 150mA'de 2V'ta minimum 40 değerindedir. 500mV saturasyon gerilimi ile düşük enerji kaybı sağlar. Genel amaçlı sinyal transistörü olarak, gerilim düzenleyicileri, ses frekansı amplifikatörleri ve dijital anahtarlama devrelerinde uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power - Max 2 W
Supplier Device Package PG-SOT223-4-10
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok