Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BCP5116H6327XTSA1
TRANS PNP 45V 1A SOT223
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- BCP5116
BCP5116H6327XTSA1 Hakkında
BCP5116H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT223 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 45V collector-emitter gerilim dayanımına ve 1A maksimum collector akımına sahiptir. 125MHz geçiş frekansı ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 2W maksimum güç tüketimi ve düşük 500mV saturation voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle consumer elektronik, yazıcı uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. TO-261 paketleme standardı ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4-24 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok