Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BCP5116E6327HTSA1

TRANS PNP 45V 1A SOT-223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BCP5116

BCP5116E6327HTSA1 Hakkında

BCP5116E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 45V VCE breakdown voltajı ve 1A kolektör akımı ile çalışabilir. 125MHz transition frequency'si ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi sayesinde küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve kontrol devrelerinde, tüketici elektroniği, otomotiv sistemleri ve endüstriyel denetim uygulamalarında tercih edilir. 150mA'de minimum 100 hFE DC current gain sağlar ve 500mA'de 500mV saturation voltajı ile verimli komütasyon gerçekleştirir. Bileşen şu anda üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power - Max 2 W
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok