Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
BCM856SE6327BTSA1
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- BCM856
BCM856SE6327BTSA1 Hakkında
BCM856SE6327BTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual PNP bipolar junction transistördür. 65V kollektör-emitter breakdown voltajı ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz transition frequency özelliğiyle sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yer alır. Surface mount SOT-363 paketinde sunulan bu bileşen, ses frekansı ve RF uygulamalarında, inverter devrelerde ve dijital kart tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok