Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC879,112

TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC879

BC879,112 Hakkında

BC879,112 bir NPN Darlington transistördür ve NXP Semiconductors tarafından üretilmektedir. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80V kolektör-emitter gerilimi ve 1A kolektör akımı ile çalışır. 2000 minimum DC akım kazancı (hFE @ 500mA, 10V) ile karakterize edilen transistör, düşük giriş akımında yüksek çıkış akımı sağlayan Darlington konfigürasyonuna sahiptir. 200MHz geçiş frekansı ve maksimum 830mW güç dağıtımı kapasitesiyle hafif sinyal ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 50nA maksimum kolektör cutoff akımı ile düşük sızıntı özelliği gösterir. Operating sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Uygulamalar arasında ses amplifikasyonu, motor kontrolü, röle sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri yer alır. Not: Ürün yaşlanmış (obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 830 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok