Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC860BMTF
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC860
BC860BMTF Hakkında
BC860BMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaksiyel silikon transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100 mA kolektör akımı ve 150 MHz geçiş frekansı ile çalışır. 200 (minimum) DC akım kazancı ile 2mA/5V koşullarında karakterize edilmiştir. 45V kolektör-emiter gerilim kapasitesi ve 310mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyalli amplifikasyon devrelerinde, RF uygulamalarında ve anahtarlama devreleri tasarımında kullanılmaya uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 15nA maksimum ICBO ile genel amaçlı transistör uygulamalarını karşılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 310 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok