Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC860BE6327HTSA1
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC860
BC860BE6327HTSA1 Hakkında
BC860BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisine göre tasarlanmıştır. SOT-23 (TO-236-3) küçük paketinde barındırılan bu komponent, maksimum 45V collector-emitter voltajı ve 100mA collector akımı ile çalışabilmektedir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, 330mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü devreler için uygundur. DC current gain (hFE) 220 minimum değeri (2mA, 5V koşullarında) ile sinyal amplifikasyonu sağlayabilir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışan bu transistör, audio amplifikatörleri, ön amplifikatörler, düşük sinyal seviyesi anahtarlaması ve genel amaçlı bipolar uygulamalarında kullanılır. Dikkat: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok