Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC859CLT1G

TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC859

BC859CLT1G Hakkında

BC859CLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistor (BJT) olup SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 30V collector-emitter gerilim desteği ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz geçiş frekansı, 420 minimum akım kazancı (2mA, 5V'ta) ve 300mW maksimum güç dağıtımı özellikleriyle ön amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve sinyal kontrol uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv elektronik uygulamalarında da yer alabilir. Lütfen harita kodunun bileşenin üzerinde kontrol edilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok