Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC859CE6327HTSA1
TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC859
BC859CE6327HTSA1 Hakkında
BC859CE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 (TO-236-3) küçük yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 30V kollektör-emiter gerilimi ve 250 MHz transition frequency özellikleriyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 330 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile şehir saat (clock), ses işleme, RF modülleri ve genel sinyal işleme devrelerinde tercih edilmektedir. DC akım kazancı (hFE) tipik olarak 420 @ 2mA, 5V değerinde olup, satürasyon voltajı maksimum 650 mV'dir. Çalışma sıcaklığı 150°C (TJ) ile sınırlı olup, tüketici elektronikleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. (Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok