Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC859C

BJT SOT-23 30V 100MA

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC859C

BC859C Hakkında

BC859C, Diotec Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 (TO-236-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 30V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 250mW güç sınırlaması içerisinde, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C) işletim yapabilir. 420'nin minimum DC Current Gain (hFE) değeri ve 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. Düşük seviye sinyal amplifikasyonu, anahtar (switch) işlemler ve DC motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. Küçük boyutu nedeniyle kompakt elektronik devreler ve PCB tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok