Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC859BLT1G

TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC859

BC859BLT1G Hakkında

BC859BLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup SO-23 yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 30V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı özellikleri ile düşük güçlü sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 300mW maksimum güç dağılımı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde ses amplifikasyon, RC osilatör, ışık algılama devreleri ve genel amaçlı düşük seviye sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Dipolar transistör özellikleri ile gürültü ve sıcaklık kararlılığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok