Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC859B

BJT SOT-23 30V 100MA

Üretici
DComponents
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC859B

BC859B Hakkında

BC859B, DComponents tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 30V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. 100MHz transition frequency özelliğine sahip olan BC859B, düşük güç uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 2mA, 5V koşullarında minimum 220 değerine sahiptir. 250mW maksimum güç yayılımı kapasitesi ile amplifikasyon, anahtarlama ve ses işleme devrelerinde yer alabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışmakta olan bu transistör, kompakt tasarımlar ve batarya beslemeli cihazlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok