Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC859B-AQ

BJT SOT-23 30V 100MA

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC859B

BC859B-AQ Hakkında

BC859B-AQ, Diotec Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 30 V kollektör-emitör gerilimi ve 250 mW güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 100 MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA/5V koşullarında minimum 220 değerindedir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük seviye sinyal amplifikasyonu, genel amaçlı anahtarlama, ses frekansı uygulamaları ve tüketici elektroniğinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok