Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC859B

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC859B

BC859B Hakkında

BC859B, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi small signal bipolar transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 100mA kollektör akımı ve 100MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 220 minimum DC akım kazancı (hFE) sağlar. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 250mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı elektronik tasarımlarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok