Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC859A-AQ

BJT SOT-23 30V 100MA

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC859A

BC859A-AQ Hakkında

BC859A-AQ, Diotec Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Maximum 100 mA kollektör akımı ve 30V emitör-kollektör gerilimi ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100 MHz geçiş frekansı sayesinde orta frekanslı devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 250 mW maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir. Sesli amplifikasyon, frekans ayarlaması, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok