Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC859A

BJT SOT-23 30V 100MA

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BC859A

BC859A Hakkında

BC859A, Diotec Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100mA kolektör akımı ve 30V VCE(breakdown) ile çalışabilir. 250mW güç sınırlaması içinde tasarlanan BC859A, 125 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 100MHz geçiş frekansı sunar. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç seviyesi devre tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 650mV maksimum doyum voltajı (VCE(sat)) ile düşük enerji kaybı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok